中科院传来新消息，事关EUV光刻机，结局基本清晰

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芯片的工艺制程一直以来都是跟随摩尔定律不断迭代，也许很多人现在的电脑芯片依旧使用14nm，但现在芯片的制造工艺已经发展到3纳米。此外，芯片技术还在进一步发展，速度并未放缓。例如，TSMC（台积电）最近就宣布，其3nm研发团队已开始向1.4nm制程工艺发展。

如何摆脱芯片受限局面

越是先进的芯片制造技术越是离不开先进的光刻设备，尤其是7nm制程以下芯片几乎非EUV光刻机不可。但很多人都知道，在老美的“芯片规则”制约下，ASML的EUV光刻机到现在还无法对我国自由出货。

因此，即使是5纳米芯片，大陆晶圆厂也无法进行大规模的批量生产。
想要摆脱这种局面，主要有两个途径。首其一，就是寄希望于ASML公司，能够向我们自由出货，但是这个选项实在太被动了，以目前的局势看基本是不可能的。如果只会傻傻地等ASML取得出货授权，那么我们永远无法制造出先进的高端芯片。

第二种途径要更可靠，即独立研发。

此前中国科学院院长白崇礼曾表示过，关于我国半导体产业被“卡脖子”的问题将有一部分会得到解决，其中就包含光刻设备。

中科院对光刻设备的研发早已开始

彼时有些网友就提出疑问了：ASML已经研发了20多年的EVU相关技术，而我们到现在才刚刚宣布解决这个问题，是否有点不切实际。其实不然，事实上，中国科学院基于EUV光刻技术的研发早就开始了。

很多人可能都不知道，在某一个科技领域要实现突破，完成国产化替代，并不是给资金、给资源给团队就能行的，这需要长时间的积累，其中最重要的是专利数量的积累。之所以这样说是因为如果没有掌握足够的专利，那么在后续的研发和生产过程中，很容易引发侵权纠纷。

看看ASML的EUV光刻机只是用到少量的美方技术便被限制出货，就知道这并非夸大其词。

ASML在光刻领域已经处于龙头地位，但ASML依旧需要做好大量的专利工作，例如，2019年，ASML就因专利问题向尼康公司支付了1.5亿欧元，以解决专利纠纷。2007年初，ASML还获得了与佳能的交叉专利许可。

从这很明显可以看出，如果自己没有掌握一定的专利数，就很难在半导体领域站稳脚跟。

值得一提的是，中国科学院早在十年前，也就是2002年就开始进行EUV光刻技术的研发，并申请了相关专利。中国科学院光电技术研究所申请了“自适应全反射紫外投影光刻透镜”的专利。

在对专利的简要分析中，明确了该专利技术可应用于EUV投影光刻机中。它不仅可以简化投影光刻物镜结构，降低非球面反射镜的面形精度要求，还能消除环境变化等动态因素对投影光刻物镜像差的影响。

中科院传来关于光刻机新消息

但中国科学院的研发成果可远远不止这些。除上述中国科学院光电院以外，还有中国科学院长光研究所、上光研究所、微电子研究所和高能物理研究所。它们加起来已经申请了数百项EUV专利。

今年3月，一项新的EUV专利刚刚公布。申请人为中国科学院上光研究所。该专利名为“极紫外掩模衍射谱的快速仿真方法”。该方法将含缺陷多层膜分为含缺陷部分和无缺陷两部分，并通过等效膜层法和分割法建模，提供可有效快速仿真极紫外光刻含缺陷掩模衍射谱的快速严格仿真方法。

可以说，当白崇礼院长提出要解决我国半导体领域的“卡脖子”问题时，中国科学院已经进行了至少18年的研发工作。很明显，多年的专利积累为我们能够实现大规模生产EUV光刻设备打下了基础，并建立了一堵防护墙。

近年来，相信很多人都注意到，中国科学院开始从国内外乃至国际上招聘EUV方面相关人才。这表明我们的EUV光刻设备正开始从研发阶段走向商用阶段，从理论阶段向实践阶段转变。

总的来说，我们看到中国科学院在EUV专利方面有很大的优势，剩下的工作主要是将我们的理论转化为现实，从这很明显看出，我国关于光刻设备的发展道路基本清晰了。

对于我国EUV光刻设备的研发，大家有什么看法，欢迎在评论区留下您的观点一起交流讨论。

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